Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.6: Poster
Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Einfluß einer Si/B- bzw. Ne/B-Coimplantation auf die Bordiffusion in 6H-SiC — •M. Laube1, G. Pensl1, H. Bracht2 und N. Stolwijk2 — 1Lehrstuhl für Angewandte Physik, Universität Erlangen — 2Lehrstuhl für Materialforschung, Universität Münster
Wird borimplantiertes Siliciumkarbid (SiC) Temperaturen über 1400∘C ausgesetzt, findet zeitlich-beschleunigte Bordiffusion (transient-enhanced boron diffusion) statt, die sich sowohl ins ungeschädigte Volumen als auch verstärkt in den oberflächennahen Bereich hoher Schadenskonzentration erstreckt. Bracht et al.[1] haben gezeigt, daß die Bordiffusion durch den Kick-out-Mechanismus zufriedenstellend beschrieben werden kann. Der Kick-out-Mechanismus erfordert interstitielle Silicium-Atome. Um die Rolle der interstitiellen Si-Atome genauer zu untersuchen, wurden Bor und Silicium bzw. Neon coimplantiert. Das implantierte Si- bzw. Ne-Profil wurde auf die volumenseitige Flanke des Borprofils plaziert. Die zusätzliche Si-Implantation liefert, im Gegensatz zur Ne-Coimplantation, überschüssige interstitielle Si-Atome, die die Bordiffusion beschleunigen sollten. Die implantierten SiC-Proben wurden bei 1700∘C für verschiedene Zeiten getempert. Die Borverteilung wurde nach dem Ausheilschritt mit SIMS bestimmt. Die SIMS Analyse der Bor-Tiefenprofile zeigt im Falle der Si/B-Coimplantation eine deutliche Verbreiterung auf der volumenseitigen Flanke. Dieses Ergebnis ist ein klarer Hinweis für den vorgeschlagenen Diffusionsmechanismus von Bor in SiC.
[1] H.Bracht, N. Stolwijk, M. Laube, G. Pensl, Appl. Phys. Lett. 77(20), 3188 (2000)