Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.61: Poster
Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Laterale Verteilung versetzungsgebundener Exzitonen und Defektkonfiguration in (001) ZnSe Schichten — •Uwe Hilpert1, Lukas Worschech2, Dirk Rudloff3, Jürgen Schreiber1 und Wolfgang Ossau2 — 1Fachbereich Physik, Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Friedemann-Bach-Platz 6, 06108 Halle (Saale) — 2Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — 3Fachbereich Festkörperphysik, Universität Magdeburg, FNW/IEP/AFP PF 4120, 39106 Magdeburg
Durch Mikro-Kathodolumineszenz (KL) Untersuchungen der spektralen Feinstruktur der Y Linie bei 2.6 eV erhalten wir mikroskopische Information über die laterale Verteilung versetzungsgebundener Exzitonen in dünnen (001) ZnSe Schichten. Im panchromatischen Abbildungsmodus tritt die Y Lumineszenz in Form von hellen, linienförmigen Kontrasten parallel zur [1-1 0] Achse auf. Innerhalb der hellen Linienkontraste der Y Lumineszenz wurden diskrete Energien des Maximums der Y Linie aufgelöst. Die laterale und energetische Verteilung der Intensitätsmaxima erlaubt es, die Linienkontraste als Versetzungsbündel dissoziierter Se(g) 60o Versetzungen mit verschiedenen Stapelfehlerbreiten zu identifizieren. Um das Auftreten dieser Versetzungsbündel im frühen Stadium plastischer Relaxation in der ZnSe Schicht zu erklären, nehmen wir an, dass die Nukleationsquellen keiner statistischen Verteilung unterworfen sind, sondern die dissoziierten Versetzungen in identischen oder benachbarten Gleitebenen des Se(g) Subsystems nukleiert werden und sich ausbreiten.