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Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.79: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Tunnel-Transport in a-Si:H/c-Si-Heterobarrieren aus Kapazitätsanalysen — •Thomas Unold, Karsten Brendel und Gottfried Heinrich Bauer — Fachbereich Physik, Carl von Ossietzky Universität Oldenburg

Temperatur- und frequenzabhängige Kapazitätsanalysen von Heterodioden aus (n)-a-Si:H/(p)-c-Si ergeben für den Ladungstransport über die Barriere thermische Aktivierungsenergien єi,th und Vorfaktoren für Emissionsraten aus Störstellen Γi,th in c-Si, die wesentlich von der Präparation der Grenzfläche beeinflußt werden. Für Proben mit einer Oxidschicht zwischen c-Si-Substrat und a-Si:H-Film finden wir Vorfaktoren von nur Γi,th ≈ 10−6 s−1 gegenüber üblichen Phononfrequenzen von ca. (1012 − 1013) s−1. Um einen reinen thermischen Emissionsprozeß mit Aktivierungsenergien (єtransport−єdefect) zu maskieren, müssen die Raten des von uns vorgeschlagenen kombinierten Prozesses (thermische Emission-Tunneln-Hopping in Bandtails) νETH die der reinen thermischen Emission νth merklich übertreffen. Aus den experimentell ermittelten Emissionsraten bestimmen wir die minimale Barrierenhöhe zu 680 meV, die energetische Position der Defekte (єcb−єdefect) und schätzen eine Barrierendicke von 1.8 nm ab.

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