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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.83: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Herstellung von Si-Schichten mittels CVD für kristalline Silicium-Dünnschichtsolarzellen — •S. Bau, J. Denter, N. Schillinger und A. Hurrle — Fraunhofer Institut für Solare Energiesysteme, Oltmannsstr. 5, 79100 Freiburg

Die meisten Ansätze zur Herstellung kristalliner Silicium-Dünnschichtsolarzellen basieren auf der Abscheidung dünner Silicium-Schichten auf Silicium- oder geeignete Fremd-Substrate. Um für eine Anwendung in der PV attraktiv zu sein, muss die Methode zur Abscheidung dieser Schichten einen hohen Durchsatz bei möglichst geringen Prozesskosten bieten.

Eine am Fraunhofer ISE entwickelte Atmosphärendruck-CVD-Anlage ermöglicht die Abscheidung von Silicium mit Raten bis zu 5 µm/min. In diesem Reaktor sind die Proben in zwei vertikalen, parallelen Reihen angeordnet, wobei jede Reihe durch ein Lampenfeld optisch geheizt wird. Zur Charakterisierung der Anlage wurden epitaktische Schichten auf Cz-Material unter verschiedenen Prozessbedingungen hergestellt und bezüglich Schichtdickenhomogenität sowie elektrischer Eigenschaften untersucht. Die Schichtdickenverteilung hängt dabei von der Gas-Strömung im Reaktor ab und daher auch in hohem Mass von der Geometrie des Gaseinlass. Dieser Effekt wurde durch die Verwendung verschiedener Gaseinlässe beleuchtet. Weiterhin wurde der Zusammenhang zwischen Kristallqualität der Schichten und der Prozessparameter sowie der Probenvorbehandlung bestimmt.