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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.84: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Elektronenbestrahlung von mikrokristallinem Silizium — •Rudolf Brüggemann¹, Wolfgang Bronner² und Michael Mehring² — ¹Fachbereich Physik, Carl von Ossietzky Universität Oldenburg — ²2. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart

Mikrokristallines Silizium zeigt im Gegensatz zu hydrogenisiertem amorphen Silizium keine lichtinduzierte Degradation. Elektronenbestrahlung mit 1-MeV Elektronen ändert hingegen die optischen und elektronischen Eigenschaften und führt zu erhöhter Subgap-Absorption und einer Reduzierung der Beweglichkeits-Lebensdauer-Produkte für Elektronen und Löcher. Spektralabhängige Photostrommessungen weisen auf eine homogene Verteilung von Rekombinationszentren in der bestrahlten Probe hin, während sich für die Probe vor der Bestrahlung eine räumlich inhomogene Zustandsdichte mit Anstieg zum Luft/Film-Interface ableitet.