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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.86: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Ramanspektroskopie an dünnen Cu(In,Ga)S₂ - Absorberschichten für Solarzellen — •T. Riedle^1,2, A. Neisser², K. Otte³, R. Klenk², N. Esser¹, W. Richter¹ und M.C. Lux-Steiner² — ¹TU-Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Hahn-Meitner Institut, Glienicker Straße 100, D-14109 Berlin — ³Institut für Oberflächenmodifikation, Permoserstr. 15, D-04303 Leipzig

Der Einbau von Gallium in das ternäre CuInS₂ System führt zu einer erhöhten Leerlaufspannung[1]. In dieser Arbeit wird der Einfluß des Galliums auf die Struktur des Absorbers untersucht. Dünne, polykristalline Cu(In,Ga)S₂ Absorberschichten wurden in einem zweistufigen Prozeß präpariert. In einem PVD-System wurden die Metalle sequentiell aufgedampft und anschließend in einer Atmosphäre aus elementaren Schwefel sulfurisiert. Durch Ätzen mittels eines Stickstoffionenstrahls wurde eine Schicht keilförmig bis auf den Rückkontakt abgetragen. Durch laterales Verfahren entlang des Keils konnten so mit der Mikroramantechnik tiefenaufgelöst Spektren aufgenommen werden. Es wurden zwei aufeinanderfolgende Phasen CuInS₂ und CuGaS₂ mit einer scharfen Phasengrenze identifiziert.

[1] I. Hengel, R. Klenk, E. Garcia Villora, M. Ch. Lux-Steiner, Proc. 2^nd WPVSC, 1998, pp. 545.