Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.93: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Räumliche Abbildung von Strominhomogenitäten in Halbleitermaterialien mittels eines Tieftemperatur-Raster-Laser-Mikroskops — •Lars Bornemann, Achim Kittel und Jürgen Parisi — Abteilung Energie- und Halbleiterforschung, Fachbereich Physik, Universität Oldenburg, 26111 Oldenburg

Wir haben ein Tieftemperatur-Raster-Laser-Mikroskop aufgebaut, womit es möglich ist, Messungen bei Temperaturen des flüssigen Heliums an Halbleiter-Elementen, unter zusätzlichem Magnetfeld, durchzuführen. Das Mikroskop und der zu untersuchende Halbleiter befinden sich in einem evakuierten und vollständig in flüssigem Helium befindlichen Probenraum. Hierdurch wird erreicht, daß die zu untersuchende Probe vollständig von Infrarot-Hintergrundstrahlung abgeschirmt ist. Untersucht wird homogen dotiertes Germanium, das wie aus der Literatur bekannt eine spontane Stromfilamentierung mit reichhaltiger Dynamik zeigt. Das Meßprinzip beruht auf der Messung einer Änderung einer globalen Größe (Strom/Spannung) als Reaktion auf eine lokalen Störung durch den Laserstrahl. Als weitere Parameter stehen die Variation der Probentemperatur und ein zusätzliches homogenes äußeres Magnetfeld (bis 5T) zur Verfügung, welche weiteren Aufschluß über räumliche Veränderungen der Strominhomogenitäten geben.