Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.97: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Lasercleaning von Siliziumwafern — •Micha Bertsch¹, Mario Mosbacher^1,2, Hans-Joachim Münzer¹, Johannes Boneberg¹, Paul Leiderer¹ und Bernd-Uwe Runge¹ — ¹LS Leiderer, Fach M676, Universität Konstanz, D-78457 Konstanz — ²Institut für angewandte Physik, Johannes-Kepler-Universität, Altenbergstrasse 69, A-4040 Linz

Wir untersuchen die Entfernung von Sub-Mikrometer großen Schmutzpartikeln von industriellen Siliziumwafern mittels Lasercleaning. Dieses wird momentan als neue, vielversprechende Ergänzung bestehender Reinigungsmethoden diskutiert. Beim sogenannten Steam-Lasercleaning (SLC) wird ein Alkohol-Wasser-Gemisch auf die zu reinigende Oberfläche aufkondensiert und anschliessend durch einen kurzen Laserpuls explosiv verdampft. Eine zweite Methode, Dry-Lasercleaning (DLC), beruht auf der bloßen Bestrahlung des zu reinigenden Gebietes mit einem Laserpuls. Zur systematischen Untersuchung der zugrundeliegenden physikalischen Abläufe beider Verfahren verwendeten wir monodisperse, kugelförmige Kolloidpartikel (Polystyrol, SiO₂) mit Durchmessern von 60nm-3µm. Zusätzlich wurde der Einfluß der Pulsdauer (100fs-8ns) und der Wellenlänge (248nm-800nm) des Lasers untersucht. Unsere Experimente zeigen, daß Lasercleaning eine effiziente Methode zur Entfernung selbst kleinster Partikel mit Durchmessern unter 100nm ist. SLC erwies sich als effizienter und sicherer als DLC aufgrund der niedrigeren Reinigungsschwellen und der Gefahr einer Substratbeschädigung durch Feldverstärkungseffekte an den Partikeln bei DLC.