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HL: Halbleiterphysik

HL 27: GaN II

HL 27.4: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 11:15–11:30, S7

Einfluß des III/V-Verhältnisses und der Depositionstemperatur auf die Oberflächenmorpholgie von AlGaN-Schichten — •Gudrun Henn, Torsten Rupp und Helmut Schröder — DLR Stuttgart, Institut für Technische Physik, Pfaffenwaldring 38-40, 70569 Stuttgart

AlGaN- und GaN-Schichten wurden durch Laserinduzierte Reaktive Epitaxie (LIRE) auf Saphir (0001)-Substraten abgeschieden. Über die Laserpulsenergie wurde das III/V-Verhältnis variiert und im Fall von reinem GaN je nach Depositionstemperatur Ga- bzw. N-reiches Wachstum erreicht. Die Morphologie für die entsprechenden Wachstumsregime wurde mittels AFM untersucht. Optimale Oberflächenbeschaffenheit wird nur unter Ga-reichen Bedingungen erzielt. Diese können in gewissen Grenzen sowohl durch Anpassung der Laserpulsenergie als auch der Temperatur eingestellt werden. Beim Wachstum von ternärem AlGaN hängt die Oberflächenstruktur zusätzlich vom Verhältnis des Al-Ga-Angebots ab.