Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: GaN II

HL 27.6: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 11:45–12:00, S7

Optische Anisotropie von Al_xGa_1−xN Schichten — •U. Rossow¹, D. E. Aspnes², R. Goldhahn³, O. Ambacher⁴, J. Bläsing⁵, A. Krost⁵ und M. Stutzmann⁴ — ¹TU Braunschweig, Inst. f. Techn. Physik, u.rossow@tu-bs.de — ²NCSU, Phys. Dept., Raleigh, USA — ³TU Ilmenau, Inst. f. Physik — ⁴Walter Schottky Institut, TU München — ⁵Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Inst. f. Exp. Physik

Die optische Anisotropie von Al_xGa_1−xN Schichten (Wurzit-Struktur) abgeschieden auf c-plane orientierten 6H-SiC und Saphir Substraten wurde mit Reflexions-Ansiotropie-Spektroskopie (RDS/RAS) gemessen. Die optische Anisotropie wird durch eine leichte Verkippung der c-Achse um den Winkel ψ induziert. Im einfachsten Fall skaliert dann das Signal mit (є_∥−є_⊥) sin²ψ, wobei є_∥ und є_⊥ die Komponenten des dielektrischen Tensors für parallel und senkrecht zur c-Achse polarisiertem Licht sind. Durch Röntgenbeugungsmessungen finden wir, daß relativ große optische Anisotropien bereits auftreten für kleine ψ von 0.24^∘. Die Werte, die wir durch Anpassung der otischen Spektren gewinnen, sind aber viel größer. Dieses ist ein Hinweis darauf, daß andere Beiträge auch berücksichtig werden müssen. Wir schlagen vor, daß die Restverspannung über den piezooptischen Effekt dafür verantwortlich sind und in vielen Fällen sogar dominieren. Von Symmetrieüberlegungen schließen wir, daß dabei der Beitrag einer in der Oberfläche anisotropen Verspannung wesentlich größer ist als der isotrope Anteil. Eine anisotrope Verspannung könnte das Resultat einer anisotropen Verspannungsrelaxation sein, die wiederum mit dem Vorhandensein der Stufen erklärt werden kann.