Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: GaN II
HL 27.8: Vortrag
Donnerstag, 29. März 2001, 12:15–12:30, S7
In-Situ Ellipsometrie an GaN in der MOVPE — •S. Schelm1, S. Peters2, T. Schmidtling1, J.-T. Zettler1, U.W. Pohl1 und W. Richter1 — 1Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2SENTECH Instruments GmbH, Carl-Scheele-Str. 16, 12489 Berlin
Bei den klassischen III/V Halbleitermaterialien (GaAs, InP) sind Volumeneigenschaften wie die Dotierungskonzentration oder der Ordnungsgrad (InGaP) stark von der Stöchiometrie und Rekonstruktion der Wachstumsoberflächen abhängig. Neuere ab-initio Rechnungen [1] weisen daraufhin, daß ähnliches auch für das GaN-Wachstum gelten sollte. Dessen Wachstumsoberflächen sind jedoch aufgrund der hexagonalen Symmetrie experimentell schwerer zugänglich. Wir haben daher ein spektroskopisches Ellipsometer für Oberflächenmessungen optimiert und an einen Nitrid-MOVPE Reaktor adaptiert [2]. Damit wurden die verschiedenen Wachstumszustände von GaN mit NH3 und TMGa im Spektralbereich von 1,5 - 6,5 eV untersucht. Es wird der ellipsometrische Oberflächen-Response unter dem Einfluß der verwendeten Precursor TMGa und NH3 nahe der Wachstumstemperatur von 1040oC aufgenommen. Durch Simulation der Messergebnisse mit dielektrischen Oberflächen-Response-Funktionen wird versucht, diese den verschiedenen Rekonstruktionen des GaN zuzuordnen.
[1] A.R. Smith et al., surf. Sci. 423 (1997) 70
[2] S. Peters et al., J. Appl. Phys. 88 (2000) 4085.