HL 27: GaN II
Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–13:00, S7
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10:30 |
HL 27.1 |
Dynamik der Donator-Akzeptor-Paarrekombinationen in MBE- und MOVPE-gewachsenen GaN:Mg-Einfachschichten — •S. Ulrich, S. Strauf, P. Michler, J. Gutowski, S. Figge, S. Einfeldt und D. Hommel
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10:45 |
HL 27.2 |
Verallgemeinerte Infrarot-Ellipsometrie - eine neue Charakterisierungsmethode für Halbleiter-Heterostrukturen — •Alexander Kasic und Mathias Schubert
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11:00 |
HL 27.3 |
Bestimmung der piezoelektrischen Felder in InGaN/GaN Vielfachquantentopf-pin-Strukturen — •F. Renner, T. Kippenberg, P. Kiesel, M. Kneissl, N. Johnson und G. Döhler
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11:15 |
HL 27.4 |
Einfluß des III/V-Verhältnisses und der Depositionstemperatur auf die Oberflächenmorpholgie von AlGaN-Schichten — •Gudrun Henn, Torsten Rupp und Helmut Schröder
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11:30 |
HL 27.5 |
AlGaN/GaN 2DEG MBE Heterostrukturen auf SiC: 1D-Poisson-Schrödinger Berechnungen und Magnetotransportmessungen — •Martin Kočan, Dirk Dörner, Angela Rizzi und Hans Lüth
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11:45 |
HL 27.6 |
Optische Anisotropie von AlxGa1−xN Schichten — •U. Rossow, D. E. Aspnes, R. Goldhahn, O. Ambacher, J. Bläsing, A. Krost und M. Stutzmann
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12:00 |
HL 27.7 |
Surfactants für das epitaktische Wachstum von GaN — •C. Kruse, S. Einfeldt, T. Böttcher und D. Hommel
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12:15 |
HL 27.8 |
In-Situ Ellipsometrie an GaN in der MOVPE — •S. Schelm, S. Peters, T. Schmidtling, J.-T. Zettler, U.W. Pohl und W. Richter
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12:30 |
HL 27.9 |
In-situ Untersuchung des GaN Nukleationsschichtwachstums in der MOVPE mittels spektroskopischer Ellipsometrie — •T. Schmidtling, S. Peters, J.-T. Zettler, U.W. Pohl und W. Richter
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12:45 |
HL 27.10 |
Investigations on the growth of self-assembled GaInN-GaN quantum dots on SiC by MOVPE — •YASUYUKI KOBAYASHI, BERTRAM KUHN, JURGEN OFF, HEDWIG GRABELDINGER, and FERDINAND SCHOLZ
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