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Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Si / Ge

HL 28.4: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 11:15–11:30, S9/10

Magnetische Resonanzuntersuchungen an flachen Donatoren in hydrogeniertem Cz-Silizium — •B. Langhanki1, S. Greulich-Weber1, J.-M. Spaeth1 und V.P. Markevich21Universität Paderborn, Fachbereich Physik, 33095 Paderborn — 2Institute of Solid State and Semiconductor Physics, 220072 Minsk, Belarus

Mittels Infrarot-Absorption-Messungen wurden drei Typen (D1-D3) einer Donatorfamilie in sauerstoffreichem, hydrogeniertem Silizium nach Bestrahlung mit schnellen Elektronen und anschließender Temperung im Bereich von (300-550)C entdeckt [1]. Diese Zentren wurden mit Elektronen-paramagnetischer Resonanz (EPR), elektrisch detektierter EPR (EDEPR) und Elektronen-Kern Doppel-Resonanz (ENDOR) untersucht. Die Beteiligung von Wasserstoff an D2 und D3 wurde aufgrund von Hyperfein(HF)-Wechselwirkungen eines ungepaarten Elektrons mit den Kernen von 1H und 2H in ENDOR-Spektren nachgewiesen. Die Parameter der HF-Wechselwirkung konnten durch die Auswertung der Winkelabhängigkeit der ENDOR-Linien bestimmt werden. Ein Vergleich der gewonnenen Daten der EPR und ENDOR Messungen mit denen der bekannten flachen thermischen Donatoren Si-NL10(H) wird vorgenommen [2]. Ebenso wird ein Model der Atomstruktur und der Bildungsmechanismus der den D1-D3 Spektren zugrundeliegenden Defekte diskutiert.
V.P. Markevich et al., J. Appl. Phys. 76 (1994) 7347
Yu.V. Martynov et al., Phys. Rev. Lett. 74 (1995) 2030

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