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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Si / Ge

HL 28.9: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 12:30–12:45, S9/10

Der Bor-Zwischengitterkomplex in Silizium-Germanium-Mischkristallen — •W.-D. Zeitz¹, J. Hattendorf¹, W. Schröder² und N. V. Abrosimov² — ¹Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Strasse 100, 14109 Berlin — ²Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin

Wie β-NMR-Experimente in SiGe-Mischkristallen zeigen, bleibt die Lage und die relative Intensität der von Fischer [1] entdeckten Quadrupolresonanz des Bor-Zwischengitterkomplexes von einer Germaniumbeimischung bis 7% unbeeinflußt.

Aktuelle Pseudopotentialrechnungen [2] bestätigen ein zuerst von Tarnow [3] gefundenes Ergebnis: Im Grundzustand des Defektes sitzt ein Boranion auf einem substitutionellen Gitterplatz und ist mit einem interstitiellen, zweifach positiv geladenen Siliziumion dekoriert. Konfigurationen mit Bor im Zwischengitter sind meta-stabil.

Wir berechneten die Quadrupolkopplungskonstante der in Frage kommenden Konfigurationen unter Anwendung der FLAPW-Methode [4]. Der im Grundzustand errechnete Wert stimmt mit dem experimentell beobachteten qualitativ überein.

B. Fischer et al., Mat. Sci. Forum 83-87, 269 (1992)
M. Hakala, M. J. Puska, R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 61, 8155 (2000)
E. Tarnow, Europhys. Lett. 16, 449 (1991)
P. Blaha, K. Schwarz, J. Luitz, WIEN97, ISBN 3-9501031-0-4 (1999)