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HL: Halbleiterphysik

HL 29: Neue Materialien und Verfahren

HL 29.5: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 11:30–11:45, S17

Photolumineszenzuntersuchungen an (GaIn)(NAs)/GaAs Potentialtopfstrukturen — •Jörg Koch, Bernardette Kunert, Stephan Schäfer, Torsten Torunski, Siegfried Nau, Falko Höhnsdorf, Kerstin Volz und Wolfgang Stolz — Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften und Fachbereich Physik; Philipps Universität Marburg

Das neuartige Materialsystem (GaIn)(NAs)/GaAs verspricht aufgrund seiner interessanten optischen Eigenschaften (extremes Bandgap-Bowing, welches als Funktion der Indium- und Stickstoffkonzentrationen noch weitgehend unbekannt ist) sehr aussichtsreiche Bauelementanwendungen in Halbleiterlasern im Telekommunikationsbereich von 1.3µm und möglicherweise 1.55µm. Dieses metastabile Materialsystem konnte erfolgreich mit MOVPE bei niedrigen Wachstumstemperaturen (525^∘C) unter Verwendung der effizienten Gruppe-V Quellen 1,1-Dimethylhydrazin (UDMHy) und Tertiärbutylarsin (TBAs) abgeschieden werden. Die optischen Eigenschaften von (GaIn)(NAs)/GaAs Potentialtopfstrukturen wurden durch temperaturabhängige Photolumineszenz-Messungen charakterisiert. Der Einbau von Stickstoff in GaAs bzw. (GaIn)As hat eine starke Abnahme der Bandlückenenergie zur Folge, welche nicht mit einem konzentrationsunabhängigen Bowingkoeffizienten beschrieben werden kann. Anhand von optischen und strukturellen Untersuchungsmethoden wird dieses Bandgap-Bowing vorgestellt und als Funktion der Indium-Konzentration diskutiert - auch in Bezug auf mögliche Bauelementanwendungen.