Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Transporteigenschaften

HL 3.5: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 11:30–11:45, S16

Elektrische Eigenschaften UHV-gebondeter Si-(100)-Grenzflächen — •Alexander Reznicek, Stephan Senz, Otwin Breitenstein und Ulrich Gösele — Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Halle/Saale

> Durch UHV-Bonden bei Raumtemperatur wurden n-n- und p-p-Übergange > hergestellt. Die Wafer wurden im Reinraum naßchemisch gereinigt und die > Oxidschicht durch Flußsäure entfernt. Dabei wird die Si-Oberfläche > durch Wasserstoff terminiert. Die Wafer wurden im Reinraum hydrophob > gebondet, wobei sie durch Van-der-Vaals Kräfte schwach aneinander haften. > Im Ultrahochvakuum wurden die Wafer wieder getrennt, der Wasserstoff > thermisch desorbiert und die Wafer bei Raumtemperatur erneut gebondet. > Thermographische Untersuchungen zeigen eine inhomogene Verteilung der > Stromdichte über den gesamten Wafer. Aus den I-U- und C-V-Kennlinien kann > man ableiten, daß beim Bonden an der Grenzfläche > Störstellenzustände entstehen. Diese bewirken, daß sich eine > Barriere ausbildet, die den Stromfluß limitiert. Die Ladungsträger > fließen thermisch aktiviert über die Barriere. Es wurden die > Barrierenhöhen und die Zustandsdichte der Grenzflächenzustände > bestimmt. > >