Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 3: Transporteigenschaften

HL 3.8: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 12:15–12:30, S16

Hochfrequenzuntersuchungen an nanoelektronischen Y-Schaltern bei Raumtemperatur — •Frank Fischer¹, Lukas Worschech¹, Alfred Forchel¹, Martin Kamp¹ und Heinz Schweizer² — ¹Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — ²Physikalisches Institut, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart

Y-förmige Verzweigungen mit Längen des Verzweigungsbereiches kleiner als 100 nm wurden durch hochauflösende Elektronenstrahllithographie und naßchemisches Ätzen in modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Heterostrukturen hergestellt. Eine Spannung V zwischen dem rechten und dem linken Zweig, wobei der linke Zweig geerdet ist, führt zu einer negativen Spannung V_s am Stamm des Y-Schalters solange V<0 ist. Hingegen ist V_s=0 für V>0. Diese spannungsinduzierte Asymmetrie des symmetrischen Y-Schalters haben wir für zeitabhängige Modulationen von V bei Raumtemperatur untersucht. Eine Gleichrichtung von V kann selbst für zeitabhängige Modulationen mit einer Frequenz von 10 GHz beobachtet werden. Die zweite Harmonische tritt ebenfalls noch bei einer Frequenz von 10 GHz auf.