Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Transporteigenschaften

HL 3.9: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 12:30–12:45, S16

Ballistisches und kohärentes Schalten von Elektronen in GaAs/AlGaAs Y-Schaltern — •Lukas Worschech, Stephan Reitzenstein und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Durch hochaulösende Elektronenstrahllithographie und naßchemisches Ätzen wurden Y-verzweigte Elektronenwellenleiter mit Längen von 70nm in modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Heterostrukturen hergestellt. Diese nanoelektronischen Bauteile werden durch laterale Sidegates kontrolliert. Im linearen Transportbereich beobachten wir effektives Schalten zwischen den beiden Drains des Y-Schalters, das im Rahmen der Landauer-Büttiker Formel als kohärentes Streuen von Elektronen zwischen 3 Kontakten interpretieren wird. Liegt ein laterales elektrisches Feld an, führt eine kleine positive Spannung zwischen der Source und den beiden Drains zu einem effektiveren Schalten. Dieses Schaltverhalten äußert sich in sägezahnartigen Oszillationen in der Leitfähigkeit zwischen der Source und einem Zweig, wenn die Gatespannung am gegenüberliegenden Zweig verändet wird, hingegen die zughörige Gatespannung konstant ist.