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HL: Halbleiterphysik
HL 30: III-V Halbleiter II
HL 30.5: Vortrag
Donnerstag, 29. März 2001, 11:30–11:45, S16
Elastische und anelastische Eigenschaften reiner und Fe-dotierter InP-Schichten auf mikrostrukturiertem Si — •Frank Klose1, U. Harms1, H. Neuhäuser1, A. Bakin2, I. Behrens2, E. Peiner2 und A. Schlachetzki2 — 1Institut für Metallphysik und Nukleare Festkörperphysik, Mendelssohnstaße 3, 38106 Braunschweig — 2Institut Halbleitertechnik, Hans-Sommerstraße 66, 38106 Braunschweig
Reine und Fe-dotierte heteroepitaktische InP-Schichten (Dicke 2,8−3,4 µm) auf mikrostrukturierten Si-Substraten (Dicke 30 −43 µm) wurden mit der Vibrating-Reed-Technik (typische Frequenzen 100 Hz - 10 kHz) mit Dehnungsamplituden im Bereich von 10−6−10−3 und im Temperaturintervall von -160 bis +235 ∘ C untersucht.
Von besonderem Interesse war der Einfluß einer Dotierung mit Eisen auf die Bewegung und Multiplikation von Versetzungen, die die Anwendung in opto-elektronischen Komponenten einschränken. Dazu wurde die Amplitudenabhängigkeit der Dämpfung als Funktion der Frequenz, der Temperatur und der thermischen Vorbehandlung untersucht. Dies wird im Hinblick auf die Kenntnis über Versetzungen und Mikrozwillinge in InP diskutiert. Zusätzlich wurden der Elastizitätsmodul und die Filmspannung gemessen, woraus der thermische Ausdehnungskoeffizient abgeschätzt werden kann.