Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 31: Organische Halbleiter

HL 31.3: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 12:15–12:30, S16

Optische Eigenschaften von P3OT — •U.S. Zhokhavets¹, R. Goldhahn², S. Scheinert³ und G. Gobsch² — ¹Fakultät für Physik, Belarussische Staatliche Universität Minsk, 220028 Belarus — ²Institut für Physik, TU Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau — ³Institut für Festkörperelektronik, TU Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau

Der Real- (є₁) und der Imaginärteil (є₂) der dielektrischen Funktion (DF) von P3OT-Schichten werden mittels spektroskopischer Ellipsometrie im Spektralbereich von 1.0 bis 5.0 eV erstmalig bestimmt. In Ergänzung werden in Abhängigkeit von den Herstellungsbedingungen Aussagen zur Schichtdicke und zur Schichtrauhigkeit gewonnen. Die Auswertung der Ergebnisse erfolgt auf der Grundlage eines analytischen Modells für die DF. Insbesondere wird damit die Energie der Absorptionskante bzw. der Bandlücke genau bestimmt. Die Ergebnisse werden mit denen aus Elektroreflexions-Messungen sowie mit dem aus Photolumineszenz-Untersuchungen gewonnenen Emissionsverhalten der Schichten verglichen und diskutiert.