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HL: Halbleiterphysik

HL 34: Heterostrukturen

HL 34.12: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 18:15–18:30, S17

Untersuchung lateral begrenzter p- und n-Dotierungsbereiche in GaAs, erzeugt durch fokussierte Be- und Si-Implantation — •S. Ünlübayir¹, J. Koch¹, M. Vitzethum², P. Kiesel², R. Schmidt², G.H. Döhler² und A.D. Wieck¹ — ¹Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 150, D-44780 Bochum — ²Institut für Technische Physik I, Universität Erlangen, Erwin-Rommel-Str. 1, D-91058 Erlangen

Die fokussierte Implantation (Focused Ion Beam) von Be und Si ermöglicht die Erzeugung lateral begrenzter p- und n-Dotierungsbereiche in GaAs und Al_xGa_1−xAs. Diese Bereiche können mit GaAs hoher Qualität epitaktisch überwachsen werden. Diese Technik erlaubt die Realisierung vertikaler und lateraler pn-Übergänge und wird im Rahmen eines Projektes zur Herstellung neuartiger photoleitender pin-Detektoren benutzt.
Es wurden Be und Si mittels fokussierter Ionenimplantation in GaAs mit einer Energie von 30 keV und 100 keV implantiert und in einem schnellen Ausheilofen aktiviert. An den lateral mikrostrukturierten Bereichen wurden temperaturabhängige Hallmessungen vorgenommen. Es konnten optimale Ladungsträgerbeweglichkeiten erzielt werden, die auch in entsprechend dotierten MBE-Schichten erreicht werden.
Gefördert durch die DFG