Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 34: Heterostrukturen
HL 34.3: Vortrag
Donnerstag, 29. März 2001, 16:00–16:15, S17
Optische Verstärkung von (GaIn)(NAs)/GaAs Halbleiterlasern — •N. Gerhardt1, A. Wagner1, C. Ellmers1, F. Höhnsdorf1, J. Koch1, W. Stolz1, M. Hofmann1, S.W. Koch1, W.W Rühle1, J. Hader2 und J.V. Moloney2 — 1Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität Marburg — 2Arizona Center of Mathematical Sciences, University of Arizona, USA
(GaIn)(NAs)/GaAs ist ein vielversprechendes Materialsystem für Halbleiterlaser, die bei 1300nm emittieren. Wir haben den ersten (GaIn)(NAs)/GaAs-VCSEL bei 1300nm demonstriert [1], der Pikosekunden-Emissionsdynamik über einen außergewöhnlich großen Temperaturbereich zeigt [2].
Um diesen enorm weiten Temperaturbereich zu erklären, wurde die optische Verstärkung des Materialsystems mit verschiedenen Methoden gemessen.
Die Ergebnisse zeigen ein Verstärkungsspektrum, dessen Breite bei moderaten Dichten mit der kommerzieller (GaIn)(PAs)-Systeme vergleichbar ist, während bei höheren Dichten für (GaIn)(NAs) eine deutliche Verbreiterung aufgrund höherer Subbandübergänge beobachtet wird. Die Experimente sind in hervorragender Übereinstimmung mit theoretischen Rechnungen auf Basis eines mikroskopischen Vielteilchenmodells.
[1] C.Ellmers et al., Appl. Phys. Lett. 74, 2271 (1999)
[2] A.Wagner et al., Appl. Phys. Lett. 76, 271 (2000)