Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 35: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften II

HL 35.11: Talk

Thursday, March 29, 2001, 18:00–18:15, S6

Elektrolumineszenz-Untersuchungen an wenigen Quantenpunkten in mit FIB hergestellten lokalisierten pn-Übergängen — •R. Schmidt¹, M. Vitzethum¹, P. Schafmeister², D. Reuter², J. Koch², P. Kiesel¹, A. Wieck² und G. H. Döhler¹ — ¹Institut für Technische Physik I, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen, Universität Erlangen-Nürnberg — ²Institut für Angewandte Festkörperphysik, Universitätsstr. 150, Ruhr-Universität Bochum

Mit fokussierter Ionenstrahlimplantation (Focused Ion Beam, „FIB“) ist es möglich, Halbleiter lateral strukturiert zu dotieren. Wir nutzen die Implantation mit Be, um p-dotierte Streifen mit einer Breite von 10 µm bis 1 µm zu erzeugen. Nach der Implantation können mittels MBE GaAs, aber auch InAs-Quantenpunkte mit hoher Qualität abgeschieden werden. Wir haben eine InAs-Quantenpunkt-Schicht zentral in eine 60nm dicke i-Schicht zwischen die p-dotierten Streifen und einer n-dotierten Deckschicht eingebettet. Mit photolithographischen und naßchemischen Methoden wurde ein senkrecht zum vergrabenen p-Streifen liegender n-Streifen hergestellt.

Der Kreuzungspunkt der p- und n-Streifen definiert einen lokalisierten Nano-pn-Übergang mit einer Fläche von minimal 1 × 1 µm², in dem sich bei geeignetem Quantenpunktwachstum sehr wenige Quantenpunkte befinden. Wir präsentieren Ergebnisse aus Elektrolumineszenz-Messungen, die durch elektrische Anregung einer kleinen Zahl von Quantenpunkten erreicht wurden. Bei großflächigen Bauelementen ergibt sich eine gute Übereinstimmung mit Spektren, die durch PL-Messungen erzielt wurden.