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Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 35: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften II

HL 35.13: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 18:30–18:45, S6

Quantenpunkt Mikrolaser — •Siegfried Rennon, Kamran Avary, Frank Klopf, Johann Peter Reithmaier und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Deutschland

Die monolithische Integration von Lasern mit anderen optoelektronischen Komponenten erfordert kompakte, kantenemittierende Laser mit hochreflektierenden Spiegeln. Mit tief geätzten Bragg-Spiegeln können Reflektivitäten von über 90% erzielt werden. Dies ermöglicht die Herstellung von Lasern mit extrem kurzen Resonatorlängen. Auf GaInAs/AlGaAs Strukturen mit selbstorganisierten GaInAs Quantenpunkten als aktiver Schicht, wurden Mikrolaser mit Resonatorlängen von weniger als 20 µm hergestellt. Die Laser emittieren im Dauerstrichbetrieb auf dem Quantenpunkt-Grundzustand. Die Emission ist aufgrund des großen Fabry-Perot Modenabstandes nahezu monomodig und liegt bei Raumtemperatur bei 980 nm. 20 µm lange Laser zeigen im Dauerstrichbetrieb Ausgangsleistungen von über 1 mW und Schwellenströme von 3 mA. Die geringsten Schwellenströme im Bereich von einem mA wurden mit 30 µm langen Lasern erzielt.

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