Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 35: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften II
HL 35.5: Talk
Thursday, March 29, 2001, 16:30–16:45, S6
Quantum Confined Starkeffekt in (InAs/GaAs) quantum dots - elektromodulierte Transmission in Doppelhetero-pin-Wellenleiterstruktur — •O. Wolst1, M. Schardt1, S. Malzer1, G. Döhler1 und K.H. Schmidt2 — 1Universität Erlangen-Nürnberg — 2Ruhr-Universität Bochum
Von verschiedenen Gruppen wurden kürzlich elektrooptische Untersuchungen an self assembled quantum dots (SADs) in vertikalen pin-Strukturen (Feld in Wachstumsrichtung, z-Richtung) veröffentlicht. Der Quantum Confined Starkeffekt konnte im Photostrom und in Elektroreflektion nachgewiesen werden[1],[2].
Experimente mit Lichtausbreitung in z-Richtung führen aufgrund der kurzen Wechselwirkungslänge und des geringen Bedeckungsgrades in der Schicht nur zu sehr schwachen Signalen. Um kontrastreiche Messungen zu erzielen haben wir die besonders geeignete Wellenleitergeometrie gewählt. Im Gegensatz zu Photostrom-Messungen bietet das transmittierte Signal einen direkten Zugang zur Absorption. Zusätzlich erlaubt diese Geometrie die Unterscheidung von TE- und TM-Polarisation. Mittels Elektromodulation kann die feldabhängige Absorption der SADs aus der Transmission des Wellenleiters extrahiert werden. Unterhalb des Wettinglayers können fünf gebundene Zustände aufgelöst
werden, die mit zunehmenden Feld ins Kontinuum übergehen. Bei einem Feld von 300kV/cm beobachten wir eine Starkverschiebung von 20 meV.
[1] Raymond et al. Phys. Rev. B 58 (20), R13 415 (1998)
[2] Fry et al. Phys. Rev. B 84 (4), 733 (2000)