Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 36: Spinabh
ängiger Transport
HL 36.1: Vortrag
Donnerstag, 29. März 2001, 15:30–15:45, S2
Austauschintegrale in (Ga,Mn)As — •Th. Hartmann1, P.J. Klar1, W. Heimbrodt1, M. Lampalzer1, W. Stolz1, K. Volz1, A. Schaper1, W. Treutmann1, A. Loidl2 und H.-A. Krug von Nidda2 — 1FB Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität Marburg — 2Institut für Physik, Universität Augsburg
Magnetische (Ga,Mn)As Schichten wurden erfolgreich mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie hergestellt. Es gelang, zwei verschiedene magnetische Phasen zu wachsen. (i) Für geringe Mn-Konzentrationen erhalten wir (Ga,Mn)As Mischkristalle, die paramagnetisches Verhalten mit einer starken Austauschwechselwirkung zwischen den lokalisierten magnetischen Momenten und den Bandzuständen zeigen. (ii) Bei hohen Mn-Konzentrationen formieren sich MnAs:Ga Cluster in einer paramagnetischen GaAs:Mn Matrix.
Die Cluster sind noch oberhalb Raumtemperatur ferromagnetisch, wie SQUID und ESR Messungen zeigen, wodurch dieses Material für Spinelektronik bei Raumtemperatur von Interesse ist. Die s-d und p-d Austauschintegrale wurden durch die Kombination von PLE und Spin-flip Ramanspektroskopie ermittelt. Wir zeigen erstmals, daß das in letzter Zeit intensiv diskutierte Vorzeichen des p-d Austauschintegrals N0 β von den Wachstumsparametern abhängt. Der Vorzeichenwechsel findet beim Übergang von der paramagnetischen zur ferromagnetischen Phase statt.