Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Spinabh
ängiger Transport

HL 36.6: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 16:45–17:00, S2

Vergleich UHV-gebondeter und gewachsener > Metall-Silizium-Grenzflächen — •Stephan Senz, Alexander Reznicek und Ulrich Gösele — Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Halle/Saale

> Für die Herstellung magnetoelektronischer Bauelemente ist ein direkter > Übergang von einem Ferromagneten in einen Halbleiter nötig. Silizium > zeichnet sich durch eine sehr lange Lebensdauer des Spins aus. Daher > stellten wir durch Bedampfen bzw. Bonden Grenzflächen zwischen > ferromagetischen Metallen (Co, Ni) und Silizium mit und ohne einer dünnen > Schicht aus Siliziumoxid her und verglichen die Reaktionen an der > Grenzfläche. > Die hydrophilen und hydrophoben Si-(100)-Wafer wurden im Reinraum > vorgebondet und im UHV wieder getrennt. Die unterschiedlichen Wafer wurden > mit den entsprechenden Metallen bedampft und auf hydrophile oder hydrophobe > Wafer im UHV bei Raumtemperatur gebondet. Wir untersuchten alle möglichen > Kombinationen. Dabei wurde auch teilweise nachträglich geheizt, um die > Bondenergie zu erhöhen. Die Grenzflächen wurden durch I-U- und > C-V-Messungen, sowie durch TEM-Untersuchungen charakterisiert. Eine hohe > Bondenergie wird beobachtet, wenn an der Grenzfläche eine Reaktion oder > eine Interdiffusion stattfindet. > >