Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Spinabh
ängiger Transport

HL 36.8: Talk

Thursday, March 29, 2001, 17:15–17:30, S2

Änderung der optoelektronischen und der Transporteigenschaften von mikrokristallinem Silizium durch Elektronenbestrahlung — •Wolfgang Bronner¹, Rudi Brüggemann² und Michael Mehring¹ — ¹2. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart — ²Fachbereich Physik, Carl von Ossietzky Universität Oldenburg, D-26111 Oldenburg

Eine mikrokristalline Siliziumprobe, hergestellt mit dem HWCVD-Verfahren (Hot Wire Chemical Vapour Deposition), wurde mit hochenergetischen Elektronen (1 MeV) bestrahlt. Vor und nach der Bestrahlung wurden verschiedene optoelektronische Untersuchungen durchgeführt. Der relative Vergleich der CPM-Spektren (Constant Photocurrent Method) zeigt für Energien im Subbandbereich und für Energien größer als 2,4 eV einen Anstieg des Signals infolge der Bestrahlung um etwa eine Größenordnung. Durch die Bestrahlung ändern sich auch Rosefaktor, Diffusionslänge der Löcher und Dunkel- und Photostrom drastisch. Außerdem wurden elektrisch detektierte Elektronenspinresonanz-Experimente zur Untersuchung der Transport- und Rekombinationseigenschaften durchgeführt. Bei Temperaturen unterhalb 50 K zeigt die Probe zwei Signalbeiträge. Die Signalstärke der sogenannten dangling-bond-Linie nimmt durch die Elektronenbestrahlung deutlich zu.