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Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 37: Unordnung und Wechselwirkung

HL 37.3: Talk

Thursday, March 29, 2001, 16:00–16:15, S16

Korrelation zwischen Dotiereffizienz und Materialkomposition von a-SiOx:H — •Andreas Janotta1, Rainer Janssen1, Matthias Schmidt1, Lutz Görgens2, Claus Hammerl3, Bernd Stritzker3 und Martin Stutzmann11Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, 85748 Garching — 2Physik Dep. E11, TU München, James-Franck-Str., 85748 Garching — 3Institut f. Physik, Universität Augsburg, 86135 Augsburg

Amorphe hydrogenisierte Silizium-Suboxide (a-SiOx:H) besitzen eine Bandlücke, die sich für Sauerstoffgehalte von 0 bis 50 at. % zwischen 1,9 und 3,0 eV variieren läßt. n- und p-typ-Dotierung kann durch die Beigabe von PH3 bzw. B2H6 zu den Depositionsgasen SiH4, CO2 und H2 erreicht werden. Durch die zunehmende Legierung mit Sauerstoff sinkt die mittlere Koordinationszahl <r> von einem Wert nahe vier für Si auf ca. 2,6 für SiOx mit hohen Sauerstoffgehalten. Mittels ERD wurde die Zusammensetzung der Schichten und daraus die mittlere Koordinationszahl <r> bestimmt. Diese Abnahme korreliert mit experimentellen Daten für die Materialhärte. Auch der elektrisch aktive Einbau der Dotieratome wird mit sinkender atomarer Koordination immer unwahrscheinlicher. Der Zusammenhang zwischen mittlerer Koordination <r> und der Effizienz substitutioneller Dotierung wird diskutiert.

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