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Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Bauelemente

HL 4.1: Talk

Monday, March 26, 2001, 10:30–10:45, S17

Ortsaufgelöste Rekombination von gespeicherten Ladungsträgern in lateralen Potentialübergittern — •J. Krauß1, A. O. Govorov2, A. Wixforth1 und J. P. Kotthaus11CeNS und Sektion Physik der LMU, Geschwister-Scholl-Platz 1, 80539 München — 2Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science - Sibirian Branch, Lavrent’eva Av. 13, Novosibirsk 630090, Russia

Im vorliegenden Beitrag werden neue Ergebnisse bezüglich eines Bauelements zur Speicherung photonischer Signale [1] vorgestellt.
Die untersuchten Proben bestehen aus einer AlGaAs/GaAs Quantentopf-Struktur, auf die interdigitale Metallelektroden aufgebracht wurden. Durch Anlegen einer entsprechenden Spannung erreicht man eine in weiten Grenzen einstellbare laterale Potentialmodulation in der Ebene des Quantentopfes. Aufgrund der resultierenden lateralen elektrischen Felder werden optisch generierte Elektron-Loch-Paare getrennt, die entstehenden freien Ladungsträger sammeln sich in den entsprechenden Potentialmulden. Wird die Potentialmodulation aufgehoben, sind die Ladungsträger frei beweglich und können strahlend rekombinieren (“Auslesen“).
In Lumineszenzmessungen kann das Rekombinationsverhalten während des Auslesevorgangs bildlich dargestellt werden. Die Auflösung beträgt hierbei 5µm bzw. 1ns. Man erkennt insbesondere eine starke Abhängigkeit der räumlichen Verteilung sowie der Intensität von der zum Auslesen gewählten Potentialmodulation.

[1] S. Zimmermann, A. Wixforth, J. P. Kotthaus, W. Wegscheider, M. Bichler, Science, Vol 283, p.1292 (1999)

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