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Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Bauelemente

HL 4.3: Talk

Monday, March 26, 2001, 11:00–11:15, S17

Vertikale Leistungs-MOSFETs mit Delta-Dotierung — •Carolin Tolksdorf1, Christoph Fink1, Jörg Schulze1, Stefan Sedlmaier1, Walter Hansch2, Wolfgang Werner3, Werner Kanert3 und Ignaz Eisele11Universität der Bundeswehr, Institut für Physik ET 9, Werner-Heisenberg-Weg 39, 85577 Neubiberg — 2TU München, Lehrstuhl für Technische Elektronik, 80333 München — 3Infineon Technologies AG, Balanstr. 73, 81541 München

Ziel der Weiterentwicklung von Leistungsbauelementen ist die Reduzierung der Verlustleistung bei weiterhin hohen Durchbruch- und Einsatzspannungen. Der Leistungsverbrauch ist direkt proportional zum Flächenwiderstand Ron des Leistungstransistors im eingeschalteten Zustand. Heutige Smart-Power- Technologien arbeiten in einem Spannungsbereich von 12 V bis 50 V, ein Bereich, in dem der Hauptanteil des Ron durch den Kanalwiderstand bestimmt ist. Eine Optimierung der Dotierung im Kanalgebiet soll den Kanalwiderstand reduzieren. So zeigte sich, dass bei Transistoren mit deltaförmiger Kanaldotierung der Einschaltwiderstand Ron bei gleicher Durchbruch- und Einsatzspannung deutlich reduziert werden kann. Die deltaförmige Kanaldotierung wurde mittels Molekularstrahlepitaxie realisiert. Hierfür und aus Gründen der Skalierung war der Übergang zum Konzept des vertikalen Leistungs-MOSFETs von Vorteil.

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