Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Bauelemente

HL 4.3: Talk

Monday, March 26, 2001, 11:00–11:15, S17

Vertikale Leistungs-MOSFETs mit Delta-Dotierung — •Carolin Tolksdorf¹, Christoph Fink¹, Jörg Schulze¹, Stefan Sedlmaier¹, Walter Hansch², Wolfgang Werner³, Werner Kanert³ und Ignaz Eisele¹ — ¹Universität der Bundeswehr, Institut für Physik ET 9, Werner-Heisenberg-Weg 39, 85577 Neubiberg — ²TU München, Lehrstuhl für Technische Elektronik, 80333 München — ³Infineon Technologies AG, Balanstr. 73, 81541 München

Ziel der Weiterentwicklung von Leistungsbauelementen ist die Reduzierung der Verlustleistung bei weiterhin hohen Durchbruch- und Einsatzspannungen. Der Leistungsverbrauch ist direkt proportional zum Flächenwiderstand R_on des Leistungstransistors im eingeschalteten Zustand. Heutige Smart-Power- Technologien arbeiten in einem Spannungsbereich von 12 V bis 50 V, ein Bereich, in dem der Hauptanteil des R_on durch den Kanalwiderstand bestimmt ist. Eine Optimierung der Dotierung im Kanalgebiet soll den Kanalwiderstand reduzieren. So zeigte sich, dass bei Transistoren mit deltaförmiger Kanaldotierung der Einschaltwiderstand R_on bei gleicher Durchbruch- und Einsatzspannung deutlich reduziert werden kann. Die deltaförmige Kanaldotierung wurde mittels Molekularstrahlepitaxie realisiert. Hierfür und aus Gründen der Skalierung war der Übergang zum Konzept des vertikalen Leistungs-MOSFETs von Vorteil.