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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Bauelemente

HL 4.6: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 11:45–12:00, S17

Positiv geschriebene In-Plane-Gate Transistoren — •Andrea Seekamp, Cedrik Meier, Maria Antonia Serrano Álvarez, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstr. 150, D-44780 Bochum

In-Plane-Gate (IPG) Transistoren wurden durch Implantation von fokussierten Si²⁺-Ionenstrahlen in eine undotierte Al_xGa_1−xAs/GaAs-Heterostruktur hergestellt. In den dotierten Bereichen bildet sich bei geeigneter Wahl der Implantationsparameter ein rein zweidimensionales Elektronensystem aus. Die so erzeugten, positiv geschriebenen Bauelemente zeigen gutes Abschnürverhalten und maximale Steilheiten g_m von bis zu 32µS. Im Gegensatz zu IPG Transistoren, die durch Schreiben von isolierenden Linien in selektiv dotierten Heterostrukturen realisiert wurden, ist eine um bis zu einem Faktor von 5 gesteigerte Anreicherbarkeit erreicht worden. Bei einer geometrischen Kanalbreite von 1µm konnten im angereicherten Zustand maximale Sättigungsströme von bis zu 85µA gemessen werden.