Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Bauelemente

HL 4.7: Talk

Monday, March 26, 2001, 12:00–12:15, S17

Integriertes NAND Gatter mit resonanten Tunneldioden im Materialsystem GaAs/AlAs — •J. Malindretos, A. Förster, J. Stock, M. Indlekofer und H. Lüth — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich

In letzter Zeit werden alternative Lösungen zur CMOS-Technologie diskutiert, die zukünftig in sehr schnellen Logik-Schaltungen Verwendung finden können. Die monolithische Integration von resonanten Tunneldioden eröffnet die Möglichkeit, neuartige digitale Schaltelemente zu entwerfen, die sich durch hohe Geschwindigkeit, Kompaktheit, geringen Leistungsverbrauch und gesteigerte Funktionalität auszeichnen. Auf diesem Gebiet wurde bislang vorwiegend in amerikanischen und japanischen Forschungsgruppen gearbeitet.

Im Rahmen des MEL/ARI ESPRIT Projektes LOCOM wurde ein planarer Prozeß für die Herstellung von GaAs basierten resonanten Tunneldioden auf der Basis von Ionenimplantation entwickelt und auf seine Homogenität untersucht. Auf diesen Ergebnissen aufbauend wurde der Prozeß so erweitert, daß ein integriertes NAND Gatter aus vier Tunneldioden und zwei HEMTs vom Anreicherungs-Typ als Demonstrator entsteht.