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HL: Halbleiterphysik

HL 41: Ultrakurzzeitph
änomene II

HL 41.7: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 13:00–13:15, S9/10

Spinrelaxation in n-dotiertem Volumen-GaAs und n-dotiertem GaAs-Quantenfilmen in Abhängigkeit von Anregungsdichte und Temperatur — •Markus Bender¹, Michael Oestreich^1,2 und Wolfgang W. Rühle¹ — ¹Fachbereich Physik der Philipps-Universität, Renthof 5,D-35032 Marburg — ²Fachbereich Physik der Universität Hannover, Appelstrasse 2, D-30167 Hannover

Eine wichtige Voraussetzung für eine zukünftige Spinelektronik mit Halbleitern ist die genaue Kenntnis der Spinrelaxation von Ladungsträgern. Wir untersuchen daher die Spinrelaxation von Elektronen in n-dotiertem Volumen-GaAs und n-dotierten GaAs-Quantentfilmen. Die Spinrelaxation wird in Abhängigkeit von der Anregungsdichte und der Temperatur gemessen. Zur Untersuchung wird die Methode der zeitaufgelösten Faraday-Rotation in Reflexion und zeitaufgelöste Photolumineszenz verwendet.Die gewonnenen Ergebnisse aus den beiden sich ergänzenden Untersuchungsmethoden werden zueinander in Verbindung gesetzt und diskutiert.