Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 42: Photovoltaik II
HL 42.10: Talk
Friday, March 30, 2001, 13:45–14:00, S6
Laserkristallisierung von dünnen Silizium-Germanium-Schichten — •Markus Berger, Christopher Eisele, Christoph E. Nebel und Martin Stutzmann — Walter Schottky Institut, Am Coulombwall 85748 Garching
Durch Beimischung von 20% Silizium zu Germanium wird, verglichen mit reinem Germanium, die direkte Bandlücke auf 1,4 eV und die indirekte Bandlücke auf 0,9 eV vergrößert. Diese direkte Bandlücke führt zu erhöhter Absorption im sichtbaren Spektralbereich, was für den Einsatz als Absorber in Dünnschichtsolarzellen von großem Interesse ist. Aus dem Verlauf der indirekten Bandlücke scheint hierfür ein Verhältnis von x=0,8 in Si1−xGex als besonders geeignet. Si und Ge werden mit einer Effusionszelle und einem Elektronenstrahlverdampfer in einer Ultrahochvakuumkammer auf ein Quarzsubstrat abgeschieden. Anschließend werden diese Schichten laserkristallisiert. Geeignete Parameter zur Laserkristallisation wurden bestimmt, die resultierenden Proben wurden bezüglich ihrer Struktur und ihrer optischen Eigenschaften charakterisiert. Die elektronischen Eigenschaften wurden mit Hilfe von Leitfähigkeits- und Hallmessungen bestimmt.