Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 42: Photovoltaik II

HL 42.2: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 11:45–12:00, S6

Rasches thermisches Prozessieren von multikristallinen Siliziumsolarzellen — •Volker Radt, Stefan Peters und Roland Schindler — Oltmannsstrasse 5 , 79100 Freiburg

Die Reduzierung der Diffusionszeit von derzeit etwa 0,5-1 Stunde im konventionellen widerstandsgeheizten Ofen auf Werte zwischen 5 und 180 Sekunden in einem optisch geheizten Ofen gilt als ein Weg zur Kostenreduktion bei der Solarzellenfertigung. Die Qualität von Zellen mit einem siebgedruckten Al-Backsurfacefield und Emitterpassivierung durch rasches thermisches Oxidieren wurde bereits nachgewiesen. Durch die erfolgreiche Umsetzung dieses Konzepts auf monokristallinem Silizium konnte ein Wirkungsgrad von 18,7 % erreicht werden. Seine Tauglichkeit für multikristallines Silizium wurde getestet. Dies resultierte in Zellen mit einem Wirkungsgrad von 15 % auf blockgegossenem Baysix-Si. Es konnte nachgewiesen werden, dass sich die Volumenlebensdauer wie im konventionellen Ofen mit steigender Prozesstemperatur verschlechtert. Der Einfluss der Abkühlrampe erwies sich, anders als in der Literatur proklamiert, als sehr gering. Untersuchungen zum Einfluss des Getterns auf die Zelleffektivität deuten darauf hin, dass die P-/Al-Kodiffusion der einfachen P-Diffusion überlegen ist.