Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 42: Photovoltaik II

HL 42.7: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 13:00–13:15, S6

Bestimmung des Übergangswiderstandes zwischen siebgedruckten Dickfilmkontakten und n-dotierten Siliziumschichten — •Dominik M. Huljić, Cecilia Craff Castillo und Gerhard Willeke — Fraunhofer Institut für Solare Energiesysteme, Oltmannsstr. 5, 79100 Freiburg

Das Siebdruckverfahren stellt in der industriellen Fertigung kristalliner Siliziumsolarzellen eine Standardtechnologie zur Vorderseitenmetallisierung dar, bei der silberhaltige Dickfilmpasten verdruckt und anschließend gesintert werden. Im Vergleich zu aufgedampften TiPdAg-Kontakten, wie sie im Labormaßstab bei hocheffizienten Zellen zum Einsatz kommen, zeigen gedruckte Kontakte jedoch deutlich höhere spezifische Kontaktwiderstände ρ_c bei gleicher Oberflächendotierung des Emitters. Zur Bestimmung von ρ_c für aufgedampfte Kontakte Verhalten sind zahlreiche Meßstrukturen veröffentlicht. Eine Anwendung der Strukturen auf gedruckte Dickfilmkontakte ist jedoch nicht ohne weiteres möglich, da die Inhomogenität des Kontaktes und die Veränderung der Halbleiterschicht durch die Kontaktbildung berücksichtigt werden muß. Im Rahmen der durchgeführten Arbeiten wurden verschiedene Meßstrukturen (nach Reeves, nach Meiner und Schroder, Messung an einem Solarzellenstreifen) hinsichtlich ihrer Eignung zur Bestimmung von ρ_c bei gedruckten Kontakten untersucht. Aufbauend auf diesen Untersuchungen wird der Einfluß des Emitterprofils und der Prozeßbedingungen bei der Kontaktformierung auf den spezifischen Kontaktwiderstand diskutiert.