Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: GaN III

HL 43.4: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 12:15–12:30, S2

Ga(In,Al)N - basierende Halbleiterlaserdioden — •A. Weimar, A. Lell, S. Bader, H.-J. Lugauer, G. Brüderl, V. Kümmler und V. Härle — OSRAM Opto Semiconductors, Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg

GaN-basierende Halbleiterlaserdioden werden aufgrund ihrer Emission im ultravioletten und blauen Spektralbereich zukünftig in der Optoelektronik eine sehr wichtige Rolle spielen. Mögliche Anwendungen sind u.a. optische Speichermedien, hochauflösende Laserdrucker, Projektionsdisplays, Beleuchtung, Medizintechnik und Spektroskopie. Im Juli 1999 konnte der erste europäische GaN-Laser bei OSRAM - Opto Semiconductors in Regensburg demonstriert werden. Aufgrund des hohen Schwellstroms (ca. 1,2 A) und der hohen Schwellspannung (ca. 40 V) konnten diese Dioden nur mit kurzen Strompulsen betrieben werden. Der nächste Schritt in der Weiterentwicklung der Laserdioden war die Minimierung der benötigten elektrischen Leistung am Arbeitspunkt, um die Dioden im cw (continuous wave)-Modus zu betreiben. Durch Reduzierung der Schwellstromdichte und Verbesserung der Strom-Spannungs-Charakteristik wurde die Leistung von ca. 40 W auf heute ca. 1 W erniedrigt. In diesem Beitrag werden die verschiedenen Optimierungsansätze und die neuesten Ergebnisse von OSRAM - OS Laserdioden vorgestellt.