HL 43: GaN III
Friday, March 30, 2001, 11:30–13:15, S2
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11:30 |
HL 43.1 |
Einfluss der Inselkoaleszenz auf die Verspannung von GaN Schichten — •Tim Böttcher, Sven Einfeldt, Stephan Figge, Rosa Chierchia, Heidrun Heinke, Detlef Hommel und James S. Speck
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11:45 |
HL 43.2 |
Theoretische Untersuchung von 60∘-Versetzungen in GaN und deren Dissoziation. — •Alexander Blumenau, Robert Jones, Malcolm Heggie und Thomas Frauenheim
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12:00 |
HL 43.3 |
Fernfeld-Untersuchungen an (In)GaN MQW-Laserdioden — •V. Kümmler, G. Brüderl, S. Bader, A. Weimar, A. Lell und V. Härle
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12:15 |
HL 43.4 |
Ga(In,Al)N - basierende Halbleiterlaserdioden — •A. Weimar, A. Lell, S. Bader, H.-J. Lugauer, G. Brüderl, V. Kümmler und V. Härle
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12:30 |
HL 43.5 |
Theoretische Erwartungen an Nitride-HFETs mit polarisationsinduzierten Ladungsträgergasen — •G. Zandler, J. A. Majewski und P. Vogl
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12:45 |
HL 43.6 |
Optimierung von AlGaN Volumenschichten und Übergitterstrukturen mittels MOVPE — •Marc Diesselberg, Sven Einfeldt, Stefan Figge, Tim Böttcher und Detlef Hommel
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13:00 |
HL 43.7 |
Transporteigenschaften von zweidimensionalen Elektronengasen in AlGaN/GaN-Heterostrukturen — •Angela Link, O. Ambacher, Y. Smorchkova, J. Speck und M. Stutzmann
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