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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigenschaften II

HL 44.1: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 11:30–11:45, S16

Untersuchung der elektronischen Struktur von InAs-Quantenpunkten mit einer Doppelhetero-pin-Diode — •C. Bock¹, K. H. Schmidt¹, U. Kunze¹, V. V. Khorenko², S. Malzer² und G. H. Döhler² — ¹Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum — ²Institut für Technische Physik I, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, D-91058 Erlangen

InAs-Quantenpunkte (QPe) wurden in die intrinsische GaAs-Schicht zwischen den AlGaAs n- und p-Kontakt einer Doppelhetero-pin-Struktur eingebettet. Durch Anlegen positiver Spannungen konnte Ladungsträger-Injektion und strahlende Rekombination untersucht werden. In Kombination mit Elektrolumineszenz-Messungen war es möglich, Strukturen in den differentiellen kapazitiven und ohmschen Transportkennlinien einzelnen Tunnelpfaden von Elektronen und Löchern zuzuweisen. Abhängig von der Positionierung der QPe relativ zum n- und p-Kontakt konnte vorwiegend das Elektronensystem oder das Lochsystem studiert werden. Für den Abstand der diskreten Energieniveaus des Lochsystems wurde eine Energiedifferenz von Δ E_h ≈ 20 meV bestimmt. Für das Elektronensystem ergab sich ein Wert von Δ E_e ≈ 40 meV. Die Ergebnisse deuten darauf hin, daß die QPe nicht durch ein rein parabolisches Potential beschrieben werden können.