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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigenschaften II

HL 44.3: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 12:00–12:15, S16

Größenselektive optisch induzierte Aufladung von InAs/GaAs-Quantenpunkten — •J. Ehehalt¹, C. M. A. Kapteyn¹, R. Heitz¹, D. Bimberg¹, G. E. Cirlin¹, V. Ustinov² und N. N. Ledentsov² — ¹Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin — ²A. F. Ioffe Physico-Technical Institute, St. Petersburg, Russia

Die Aufladungs- und Emissionsmechanismen von Ladungsträgern aus selbstorganisierten InAs-Quantenpunkten in n-GaAs wurden mittels zeitaufgelöster Kapazitätsspektroskopie untersucht. Dabei wurden an derselben Probe neben der Elektronenemission bei elektrischer Anregung auch Löcheremission in Folge von optischer Anregung beobachtet. Bei der optischen Anregung werden durch resonante Einstrahlung Exzitonen erzeugt. Aus den stark unterschiedlichen Emissionsraten von Elektronen und Löchern resultiert eine Besetzung der Quantenpunkte mit Löchern. In Abhängigkeit von der Anregungswellenlänge ergeben sich Aktivierungsenergien für die Löcheremission zwischen 200 und 270 meV, die durch eine größenselektive Beladung der Quantenpunkte erklärt werden. Die ermittelten Werte sind konsistent mit den Ergebnissen aus Photolumineszenz-Messungen.