Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 45: II-VI Halbleiter II
HL 45.2: Talk
Friday, March 30, 2001, 11:45–12:00, S17
Einfluss des Überwachsens auf die strukturellen Eigenschaften von CdSe/ZnSe-Quantenpunktstrukturen — •Thorsten Passow, Karlheinz Leonardi, Heidrun Heinke und Detlef Hommel — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Postfach 330 440, 28334 Bremen
Es ist bekannt, dass CdSe/ZnSe-Quantenpunktstrukturen bereits in der Nähe der im RHEED beobachtbaren kritischen Schichtdicke eine starke Bildung von Stapelfehlern zeigen. Oberhalb von ca. 3 ML CdSe werden bereits Stapelfehlerdichten in der Größenordnung 1010cm−2 beobachtet. Desweiteren wurde in CdSe/ZnSe-Quantenpunktstrukturen eine starke Durchmischung festgestellt, deren Ursache noch diskutiert wird. Obwohl es naheliegend ist, dass die Bedingungen während des Überwachsens mit ZnSe einen Einfluss sowohl auf die Stapelfehlerbildung als auch auf die Durchmischung haben, liegen bisher kaum systematische Untersuchungen dazu vor. Wir haben die Wachstumstemperatur, die Wachstumsrate und das VI/II-Flussverhältnis während des Überwachsens des CdSe systematisch variiert und den Einfluss auf die Stapelfehlerdichte und die Durchmischung untersucht.