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HL: Halbleiterphysik

HL 45: II-VI Halbleiter II

HL 45.3: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 12:00–12:15, S17

Neutrinorückstoßinduzierte Frenkelpaarbildung in CdTe — •Martin Müller, Rainer Sielemann und Lorenz Stadler — Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin

Die Neutrinorückstoßmethode eignet sich zur Erzeugung und zum Nachweis isolierter Frenkelpaare in verschiedenen Materialsystemen [1]. Wir wenden diese Technik auf CdTe an und weisen die gebildeten Defekte mittels Mößbauerspektroskopie unter Verwendung der Sonde ¹¹⁹Sn nach. Als Sondenvorläufer implantieren wir Te, das beim Übergang zum Sb unter Neutrinoemission einen Rückstoß von 12eV erfährt.

Wir können einen Defekt mit einem unerwartet großen Feldgradienten identifizieren, der eindeutig vom Neutinorücktoß verursacht ist. Überraschenderweise ist auch der substitutionelle Gitterplatz (Sn auf Te-Untergitter) mit einer deutlichen Verzerrung der lokalen Umgebung verbunden. Die Berücksichtigung weiterer Daten - Isomerieverschiebung, Ausheilverhalten der Defekte, temperaturabhängige Veränderung der Gitterplatzkonstellation - erlaubt eine Erklärung beider Situationen. Wir beobachten ferner eine temperaturabhängige Bildung von SnO₂-Komplexen, die auf eine Wechselwirkung zwischen Sb und intrinsischem Sauerstoff zurückzuführen ist.

R.Sielemann, NIM B 146 (1998) 329-340