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HL: Halbleiterphysik

HL 5: III-V Halbleiter I

HL 5.10: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 12:45–13:00, S6

Oberflächenuntersuchungen mit tertiär-Butyl-Hydrazin auf GaAs(001) und GaAsN in der MOVPE — •F. Poser, T. Schmidtling, S. Weeke, J.-T. Zettler und W. Richter — TU Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekretariat PN 6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

GaAsN bietet duch die starke Abhängigkeit der Bandlücke von der Stickstoffkonzentration großes Entwicklungspotential im Bereich optischer Bauelemente für die Telekommunikation. Für unsere Untersuchungen in der MOVPE verwendeten wir außer Arsin und Trimethylgallium (TMGa) die alternativen Quellen tertiär-Butyl-Arsin (tBAs) und tertiär-Butyl-Hydrazin (tBHy) als Precursor.

Aufnahmen der Oberflächenmorphologie mittels Rasterkraftmikroskopie (AFM) und der Schichtqualität mittels X-STM [1] zeigen, daß die Qualität der GaAsN-Schichten in starkem Maß von der Präparation der Grenzflächen abhängt. Um die auftretenden Prozeße zu verstehen, untersuchten wir die in Abhängigkeit der verwendeten Prozeßgase auftretenden Umordnungen und Rekonstruktionswechsel mittels Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS) während des Wachstums. So konnten wir die Aktivierungsenergien von Oberflächenprozessen wie der Anlagerung von Stickstoff auf GaAs bestimmen. Außerdem wurde das Einbauverhalten von Stickstoff zur Herstellung qualitativ hochwertiger Schichten mit hohem Stickstoffgehalt studiert.

[1] H. A. McKay, R. Feenstra, T. Schmidtling, U. W. Pohl, Arrangement of Nitrogen Atoms in GaAsN Alloys determined by STM, submitted to Appl. Phys. Lett.