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HL: Halbleiterphysik

HL 5: III-V Halbleiter I

HL 5.3: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 11:00–11:15, S6

Mechanismus der Bandlückenblauverschiebung in (Ga,In)(N,As) beim Tempern — •H. Grüning¹, P.J. Klar¹, W. Heimbrodt¹, J. Koch¹, W. Stolz¹, E.P. O’Reilly², M. Kamal Saadi² und A. Lindsay² — ¹FB Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität Marburg — ²Department of Physics, University of Surrey, Guildford, England

Die starke Wechselwirkung der mit dem Leitungsband resonanten Stickstoffniveaus mit den (Ga,In)As-artigen Bandzuständen in (Ga,In)(N,As) führt zu einer starken Rotverschiebung der Bandlücke im quaternären Ga_1−yIn_yN_xAs_1−x schon für x<1%. Dadurch wird dieser Halbleiter zu einem idealen Kandidaten für die aktive Schicht in Laserstrukturen auf GaAs-Basis für 1.3 und 1.55 µm Anwendungen. Breite, quasi 3D Ga_1−yIn_yN_xAs_1−x/GaAs Schichtstrukturen mit unterschiedlichen Stickstoffgehalten x und Indiumgehalten y wurden mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie gewachsen. Nach dem Wachstum wurden die Proben unter kontrollierten Bedingungen, d.h. verschiedenen Arsenpartialdrücken, Temperaturen und Zeiten im Reaktor getempert. Die elektronische Bandstruktur wurde mit photomodulierter Reflexion und Photolumineszenz bei verschiedenen Temperaturen untersucht. Der Mechanismus der Blauverschiebung wird sowohl experimentell als auch theoretisch durch Vergleich mit Superzell-Bandstrukturrechnungen erklärt.