Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 5: III-V Halbleiter I
HL 5.7: Vortrag
Montag, 26. März 2001, 12:00–12:15, S6
Elektronisches Rauschen von DX-Zentren in AlN:Si — •Sebastian T. B. Goennenwein1, Roland Zeisel1, Silvia Baldovino1,2, Martin S. Brandt1 und Martin Stutzmann1 — 1Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, D-85748 Garching — 2Laboratorio MOM-INFM, Via C. Olivetti 2, I-20041 Agrate Brianza (MI)
Spektral aufgelöste Photoleitfähigkeits- sowie Spinresonanzexperimente bei tiefen Temperaturen zeigen, dass Si in AlN ein DX-Zentrum bildet, wie es vom AlGaAs-System wohlbekannt ist. Silizium hat demnach einen metastabilen flachen Donatorzustand sowie einen tiefen Defektzustand mit negativer Elektronenkorrelationsenergie. Rauschmessungen ermöglichen die Bestimmung von Ladungträgerlebensdauern in Defektzuständen sowie von Energiebarrieren zwischen ihnen. Wir stellen Rauschexperimente an AlN:Si vor und diskutieren das thermisch aktivierte Verhalten der Rauschleistungsdichte. Die gemessenen Aktivierungsenergien von 390 und 45 meV stimmen gut mit den Ergebnissen der anderen, oben erwähnten Methoden überein. Die Rauschexperimente ermöglichen damit eine Bestätigung und Erweiterung des kürzlich vorgeschlagenen Konfigurations-Koordinaten-Diagramms für AlN:Si. Insbesondere erlauben sie eine unabhängige Bestimmung der Energiebarrieren für Übergänge zwischen dem flachen Donator-Zustand und dem DX-Zustand.