Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 5: III-V Halbleiter I

HL 5.8: Talk

Monday, March 26, 2001, 12:15–12:30, S6

Elektro-optische Untersuchungen an GaSb/InAs/AlGaAsSb Hetrostrukturen — •Rahim Hamid, Frank Fuchs, Carmen Mermelstein, Johannes Schmitz, Wilfried Pletschen und Joachim Wagner — Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastr. 72, 79108 Freiburg

Das antimonidische Materialsystem bietet eine ausserordentliche Vielfalt an Gestaltungsmoeglichkeiten hinsichtlich der verfuegbaren Bandlueckenenergien und Bandkanten-Diskontinuitaeten. Mittels MBE auf GaSb aufgewachsene InAs/GaSb Typ-II-Uebergitterstrukturen eignen sich für Detektionsanwendungen im mittleren Infrarot (MIR). Will man dieses Materialsystem für MIR-Laser nutzbar machen, muss man durch Einfuegen von zusaetzlichen gitterangepassten AlGaAsSb Schichten die kombinierte Zustandsdichte von 3D-artig zu 2D-artig hin veraendern. In der vorliegenden Arbeit wurden eine Serie von Dioden auf der Basis von InAs/AlGaAsSb/GaSb Uebergitterstrukturen mit Al-Gehalt zwischen 50 und 70 Prozent hergestellt. Die aktive Schicht wurde in Be- und Te-dotierte AlGaAsSb Schichten eingebettet. Die Idealitaet der besten Dioden liegt nahe 1. Die Intensitaet der Elektrolumineszenz im mittleren IR zeigt eine charakteristische Temperatur im Bereich zwischen 50 K und 80 K. C-V Untersuchungen ergeben eine residuaere Hintergrundsdotierung von 2-3 x 10E15 cmE-3. Die Anforderungen an das Materialsystem fuer Laseranwendungen werden diskutiert.