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HL: Halbleiterphysik

HL 6: Optische Eigenschaften

HL 6.8: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 12:15–12:30, S9/10

Spektroskopische Untersuchungen zu den thermischen Eigenschaften von Siliziummasken — •Dieter Braun¹, Fiedemar Kuchar¹, and Josef Lutz² — ¹Montanuniversität Leoben, Franz Josef Strasse 18, A-8700 Leoben, Österreich — ²Ionen Mikrofabrikations Systeme Wien,Schreygasse 3,A-1020 Wien, Österreich

In der Ionen Projektions Lithographie (IPL), die künftig die traditionellen optischen Verfahren ersetzen soll, werden großflächige Stencil Masken (3µm dicke Silizium-Folien mit Strukturöffnungen) verwendet. Um eine durch den Ionenbeschuss verursachte zu starke Erwärmung und eine damit verknüpfte übermäßige Verzerrung zu verhindern, wird die Stencil Maske gleichzeitig mit den Ionen und über Wärmestrahlung gekühlt. Die vorliegende Arbeit ist auf die Optimierung der Strahlungskühlung und damit in Zusammenhang auf die thermischen Eigenschaften von Stencil Masken konzentriert. Da die Emissivität von reinem Silizium nahezu Null ist sind die Si-Masken stark n-dotiert. Die Konzentration und damit die Plasmakante wird dabei auf die Soll-Temperatur der Masken und auf die Fabry-Perot-Interferenzen abgestimmt. Die optischen Konstanten werden mit den Methoden der Dünnschicktspektroskopie mit einem Fourierspektrometer ermittelt.
Gefördert durch BMVIT, Österreich, Projekt Nr. GZ G01.593/4-V/3/2000