Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.1: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Ab initio-Untersuchung der Enthalpiebarrieren des Hochdruckphasenübergangs von der Diamant- in die β-Zinn Struktur von Silizium und Germanium — •K. Gaál-Nagy, A. Bauer, P. Pavone und D. Strauch — Institut für theoretische Festkörperphysik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg

Obwohl verschiedene Hochdruckphasen von Silizium und Germanium seit langer Zeit bekannt sind, ist der Mechanismus des Phasenüberganges, der von der Diamantstruktur in die β-Zinn-Struktur führt, weitgehend unverstanden. Um zum Verständnis beizutragen, werden hier die zum Phasenübergang gehörenden Energieflächen (Energie des Grundzustandes In Abhängigkeit von den Strukturparametern) eingehend betrachtet. Aus diesen Energieflächen lassen sich die Enthalpiebarrieren bestimmen, welche beim Phasenübergang überwunden werden müssen. Diese Rechnungen werden im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie mit lokaler Dichte-Näherung (LDA) unter Verwendung von normeraltenden Pseudopotentialen und einer Entwicklung nach ebenen Wellen durchgeführt. Anhand der berechneten Energien wird der Einfluß von Energiekorrekturen, welche aufgrund der Verwendung von unterschiedlichen Anzahlen von ebenen Wellen in der Rechnung notwendig sind, diskutiert. Es wird außerdem ein Vergleich der Ergebnisse für Übergangsdrücke, Übergangsvolumen und Grundzustandsparameter, auch im Hinblick auf Ergebnisse anderer theoretischer und experimenteller Gruppen, vorgestellt.