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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.17: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Heteroepitaxie von II-VI-Verbindungshalbleitern auf Silizium und Germanium — •F. Reuss¹, W. Weigand², L.H. Hansen¹, G. Schmidt¹, E. Umbach², A. Waag³ und L.W. Molenkamp¹ — ¹Exp. Physik III, Universität Würzburg — ²Exp. Physik II, Universität Würzburg — ³Abteilung für Halbleiterphysik, Universität Ulm

Gruppe IV-Halbleiter weisen aufgrund der im Kristall vorhandenen Inversionssymmetrie besonders hohe Spin-Relaxationszeiten auf. Um diese Eigenschaft in Transportexperimenten zu nutzen, wird das Wachstum von semimagnetischen II-VI-Verbindungshalbleitern auf Si(100) und Ge(100) Substraten untersucht. Als II-VI-Material wurden Zn_1−xBe_x(Mn)Se-Verbindungen verwendet. Durch entsprechende Einstellung des Be-Gehalts kann gitterangepasst auf Silizium- bzw. Germaniumsubstraten gewachsen werden. Kritisch bei der Epitaxie von Se-haltigen Verbindungshalbleitern auf Si(100) und Ge(100) ist der Wachstumstart. Um die Reaktion von Se mit Si bzw. Ge und die Entstehung einer amorphen SiSe_x bzw. GeSe_x Schicht zu vermeiden, wurden die Substrate mit As bzw. Te passiviert. Auf diese Weise präparierte Proben wurden eingehend mittels SPA-LEED charakterisiert. Für das anschliessende Wachstum von Zn_1−xBe_xSe wurden verschiedene Startmethoden, unter anderem ein wenige ML dicker BeTe-Puffer sowie Zn-Vorbehandlung, untersucht. Im Hinblick auf zukünftige Experimente zur Spin-Injektion in SiGe-Strukturen wurde die n-Dotierbarkeit von ZnBeSe-Schichten in Abhängigkeit von der Be-Konzentration bestimmt.